TMP36 Temperatursensor - Versionsgeschichte

Ulrich Schneider: /* Versuchsdurchführung */

2023-12-04T11:30:17Z

Versuchsdurchführung

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 13:30 Uhr
Zeile 125:		Zeile 125:
	Insgesamt werden 5 Versuchsreihen gestartet:		Insgesamt werden 5 Versuchsreihen gestartet:

	* ~~0°C~~ mit Eis		* 0 °C mit Eis
	* ~~20°C~~ in Luft		* 20 °C in Luft
	* ~~40°C~~ mit erwärmten Wasser		* 40 °C mit erwärmten Wasser
	* ~~60°C~~ mit Backofen		* 60 °C mit Backofen
	* ~~80°C~~ mit Backofen		* 80 °C mit Backofen

	Jeder Versuch wird nach einem klar definierten Vorgehen durchgeführt:		Jeder Versuch wird nach einem klar definierten Vorgehen durchgeführt:
Zeile 138:		Zeile 138:
	# Zwischen jeder einzelnen Messwertaufnahme eine Sekunde warten		# Zwischen jeder einzelnen Messwertaufnahme eine Sekunde warten
	# Die Werte in einer Tabelle abspeichern und anschließend plotten		# Die Werte in einer Tabelle abspeichern und anschließend plotten


	==Versuchsergebnisse==		==Versuchsergebnisse==

Ulrich Schneider: /* Durchführung der Sensorauswertung */

2023-12-04T11:30:06Z

Durchführung der Sensorauswertung

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 13:30 Uhr
Zeile 107:		Zeile 107:

	=Durchführung der Sensorauswertung=		=Durchführung der Sensorauswertung=
	Die Versuchsauswertung umfasst das Einstellen einer Temperaturreferenz und dem Abgleich mit den Sensorwerten, die über den Arduino ausgelesen werden. Laut Datenblatt kann der Sensor zwar über einen Temperaturbereich von -~~55°C~~ bis +~~150°C~~ arbeiten<ref name="tmp"/>. Da mit herkömmlichen Mitteln insbesondere die tiefen Temperaturen nicht erreichbar sind, wird der Temperaturbereich zur Auswertung sich nur von ~~0°C~~ auf ~~80°C~~ beschränken. Bei höheren Temperaturen besteht die Gefahr, dass elektrische Leitungen und der Arduino Schaden nehmen könnten.		Die Versuchsauswertung umfasst das Einstellen einer Temperaturreferenz und dem Abgleich mit den Sensorwerten, die über den Arduino ausgelesen werden. Laut Datenblatt kann der Sensor zwar über einen Temperaturbereich von -55 °C bis +150 °C arbeiten<ref name="tmp"/>. Da mit herkömmlichen Mitteln insbesondere die tiefen Temperaturen nicht erreichbar sind, wird der Temperaturbereich zur Auswertung sich nur von 0 °C auf 80 °C beschränken. Bei höheren Temperaturen besteht die Gefahr, dass elektrische Leitungen und der Arduino Schaden nehmen könnten.

	==Versuchsaufbau==		==Versuchsaufbau==
Zeile 142:		Zeile 142:
	==Versuchsergebnisse==		==Versuchsergebnisse==
	[[Datei:Messergebnisse des TMP36.png\|miniatur\|Abb. 7: Messergebnisse des TMP36 Sensors]]		[[Datei:Messergebnisse des TMP36.png\|miniatur\|Abb. 7: Messergebnisse des TMP36 Sensors]]
	Nach Durchführung von fünf Versuchsreihen sind die Ergebnisse nach der Zeit geplottet worden und sind im nebenstehenden Bild zu sehen. Der Sensor zeigt Werte an, die sich zwar im richtigen Temperaturbereich befinden, jedoch stark in beide Richtungen um den Referenzwert schwanken. Bei der Null-Grad Messung und der 20-Grad Messung sind die Schwankungen stärker ausgeprägt als bei den Messungen mit höheren Temperaturen. Während die maximale Abweichung bei 0 °C Referenz 8 °C (Der Ausreißer bei t=~~31s~~ sei hier vernachlässigt) beträgt, ist die Abweichung bei 80 °C wesentlich geringer und beträgt maximal 3 °C.		Nach Durchführung von fünf Versuchsreihen sind die Ergebnisse nach der Zeit geplottet worden und sind im nebenstehenden Bild zu sehen. Der Sensor zeigt Werte an, die sich zwar im richtigen Temperaturbereich befinden, jedoch stark in beide Richtungen um den Referenzwert schwanken. Bei der Null-Grad Messung und der 20-Grad Messung sind die Schwankungen stärker ausgeprägt als bei den Messungen mit höheren Temperaturen. Während die maximale Abweichung bei 0 °C Referenz 8 °C (Der Ausreißer bei t=31 s sei hier vernachlässigt) beträgt, ist die Abweichung bei 80 °C wesentlich geringer und beträgt maximal 3 °C.

	Neben den Schwankungen der Temperaturwerte zeigt sich bei allen Referenzmessungen eine leichte Drift. Die Werte bei der Null-Grad Messung mit einem Eiswürfel sind tendenziell etwas höher als die angezeigte Referenztemperatur, die 20 °C- Werte leicht niedriger. Hinsichtlich der 40 °C - Messung ist die Drift nicht so streng zu beurteilen, da hier die Referenztemperatur ebenfalls angestiegen ist. Bei den höheren Referenztemperaturen um 60 °C und 80 °C zeigen sich keine signifikanten Drifts, wohlgleich die 80 °C unter allen fünf Versuchsreihen die präzisesten Werte geliefert hat.		Neben den Schwankungen der Temperaturwerte zeigt sich bei allen Referenzmessungen eine leichte Drift. Die Werte bei der Null-Grad Messung mit einem Eiswürfel sind tendenziell etwas höher als die angezeigte Referenztemperatur, die 20 °C- Werte leicht niedriger. Hinsichtlich der 40 °C - Messung ist die Drift nicht so streng zu beurteilen, da hier die Referenztemperatur ebenfalls angestiegen ist. Bei den höheren Referenztemperaturen um 60 °C und 80 °C zeigen sich keine signifikanten Drifts, wohlgleich die 80 °C unter allen fünf Versuchsreihen die präzisesten Werte geliefert hat.

Ulrich Schneider: /* Vereinfachte Sensorschaltung */

2023-12-04T11:29:24Z

Vereinfachte Sensorschaltung

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 13:29 Uhr
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	[[Datei:Vereinfachte Schaltung des TMP36 Sensors.png\|miniatur\|Abb. 3: Vereinfachte Schaltung des TMP36-Sensors]]		[[Datei:Vereinfachte Schaltung des TMP36 Sensors.png\|miniatur\|Abb. 3: Vereinfachte Schaltung des TMP36-Sensors]]

	Abb. 3 wurde dem Datenblatt des TMP36 Temperatursensors entnommen und zeigt den prinzipiellen Aufbau des Sensors in vereinfachter Form. Die zentralen Elemente des Sensors sind die Transistoren -Q1, -Q2, -Q3, sowie die Widerstände -R1 und-R2. ~~<br/>~~		Abb. 3 wurde dem Datenblatt des TMP36 Temperatursensors entnommen und zeigt den prinzipiellen Aufbau des Sensors in vereinfachter Form. Die zentralen Elemente des Sensors sind die Transistoren -Q1, -Q2, -Q3, sowie die Widerstände -R1 und-R2.
	Die Transistoren -Q1 und -Q2 sind Bipolartransistoren, die sich in der Fläche des Emitters um das 10-fache unterscheiden. Weiterhin ist dem Transistor -Q1 ein weiterer Transistor -Q3 in Reihe geschaltet, der eine Spannungsverschiebung von -Q1 und -Q2 hervorruft. Sowohl -Q1, als auch -Q2 werden mit dem gleichen Kollektorstrom angesteuert. Entsprechend der Temperaturcharakteristik von pn-Übergängen nimmt bei gleichem Strom die Thermospannung zu, wenn die Temperatur steigt. Da der Strom jedoch auch noch von der Anzahl der Ladungsträger abhängig ist, würde bei gleicher Fläche des Emitters auch die gleiche Änderung der Spannung hervorgerufen werden und es wäre keine Spannungsdifferenz messbar. Durch ein Flächenverhältnis von 1:10 zwischen den beiden Transistoren kann eine Spannungsdifferenz entstehen, die mathematisch der Gesetzmäßigkeit<ref name="tmp"~~/> <br~~/>
			Die Transistoren -Q1 und -Q2 sind Bipolartransistoren, die sich in der Fläche des Emitters um das 10-fache unterscheiden. Weiterhin ist dem Transistor -Q1 ein weiterer Transistor -Q3 in Reihe geschaltet, der eine Spannungsverschiebung von -Q1 und -Q2 hervorruft. Sowohl -Q1, als auch -Q2 werden mit dem gleichen Kollektorstrom angesteuert. Entsprechend der Temperaturcharakteristik von pn-Übergängen nimmt bei gleichem Strom die Thermospannung zu, wenn die Temperatur steigt. Da der Strom jedoch auch noch von der Anzahl der Ladungsträger abhängig ist, würde bei gleicher Fläche des Emitters auch die gleiche Änderung der Spannung hervorgerufen werden und es wäre keine Spannungsdifferenz messbar. Durch ein Flächenverhältnis von 1:10 zwischen den beiden Transistoren kann eine Spannungsdifferenz entstehen, die mathematisch der Gesetzmäßigkeit<ref name="tmp"/>

	<math> \Delta U_{BE} = U_T \cdot \log \frac{A_{E,Q1}}{A_{E,Q2}}. </math>		<math> \Delta U_{BE} = U_T \cdot \log \frac{A_{E,Q1}}{A_{E,Q2}}. </math>

Ulrich Schneider: /* Temperaturverhalten von intrinsischen und dotierten Halbleitern */

2023-12-04T11:29:02Z

Temperaturverhalten von intrinsischen und dotierten Halbleitern

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 13:29 Uhr
Zeile 61:		Zeile 61:
	==Temperaturverhalten von intrinsischen und dotierten Halbleitern ==		==Temperaturverhalten von intrinsischen und dotierten Halbleitern ==

	Der Gitterverbund des intrinsischen Halbleiters wird durch Temperatur maßgeblich beeinflusst. Nur bei einer Temperatur von null Kelvin sind alle Atome im Gitter an ihren festen Plätzen zugeordnet und es können keine Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband übergehen. Mit der Erhöhung der Temperatur wird den Elektronen Energie zugeführt, sodass die Elektronen auf ein höheres Energieniveau gebracht werden und in das Leitungsband eintreten können. Je höher die Temperatur, desto mehr Ladungsträger werden generiert und stehen zum Ladungstransport zur Verfügung<ref name="BE"/>. ~~<br/>~~		Der Gitterverbund des intrinsischen Halbleiters wird durch Temperatur maßgeblich beeinflusst. Nur bei einer Temperatur von null Kelvin sind alle Atome im Gitter an ihren festen Plätzen zugeordnet und es können keine Elektronen vom Valenzband in das Leitungsband übergehen. Mit der Erhöhung der Temperatur wird den Elektronen Energie zugeführt, sodass die Elektronen auf ein höheres Energieniveau gebracht werden und in das Leitungsband eintreten können. Je höher die Temperatur, desto mehr Ladungsträger werden generiert und stehen zum Ladungstransport zur Verfügung<ref name="BE"/>.
	Werden Halbleiter dotiert, so werden in den Gitterverbund Fremdatome eingebracht, die entweder ein Valenzelektron mehr oder weniger haben, sodass sich die Ladungsträgerkonzentration im Material ändert. Hat das Fremdatom ein Elektron mehr als der Halbleiter, handelt es sich um eine n-Dotierung, bei einem Elektron weniger um eine p-Dotierung<ref name="BE"/>. ~~<br/>~~
			Werden Halbleiter dotiert, so werden in den Gitterverbund Fremdatome eingebracht, die entweder ein Valenzelektron mehr oder weniger haben, sodass sich die Ladungsträgerkonzentration im Material ändert. Hat das Fremdatom ein Elektron mehr als der Halbleiter, handelt es sich um eine n-Dotierung, bei einem Elektron weniger um eine p-Dotierung<ref name="BE"/>.

	Der Einbau von Donatoren und Akzeptoren führt dazu, dass wesentlich weniger Energie nötig ist, um die Ladungsträger zum Übergang in das Leitungsband anzuregen. Es muss eine geringere Bandlücke überwunden werden, die wesentlich geringer ist, als die der Halbleiteratome. Dadurch entsteht ein spezifisches Temperaturverhalten. Ausgehend vom absoluten Nullpunkt werden bei ansteigender Temperatur zunächst die Ladungsträger aus den Fremdatomen angeregt, bis sämtliche Ladungsträger in das Leitungsband eingetreten sind. Sobald dies geschehen ist, befindet sich der Halbleiter im Betriebstemperaturbereich, der bei Silizium unterhalb von 300 Kelvin liegt. Steigt die Temperatur weiter an, so werden zunächst keine neuen Ladungsträger generiert. Stattdessen erfolgt die Anregung der Atome selbst, sodass der spezifische Widerstand des Halbleiters steigt. Ab Erreichen der maximalen Betriebstemperatur wird die Bandlücke der Halbleiter überwunden und es werden weitere Ladungsträger generiert. Dieser Temperaturbereich wird Eigenleitungsbereich genannt<ref name="BE"/>.		Der Einbau von Donatoren und Akzeptoren führt dazu, dass wesentlich weniger Energie nötig ist, um die Ladungsträger zum Übergang in das Leitungsband anzuregen. Es muss eine geringere Bandlücke überwunden werden, die wesentlich geringer ist, als die der Halbleiteratome. Dadurch entsteht ein spezifisches Temperaturverhalten. Ausgehend vom absoluten Nullpunkt werden bei ansteigender Temperatur zunächst die Ladungsträger aus den Fremdatomen angeregt, bis sämtliche Ladungsträger in das Leitungsband eingetreten sind. Sobald dies geschehen ist, befindet sich der Halbleiter im Betriebstemperaturbereich, der bei Silizium unterhalb von 300 Kelvin liegt. Steigt die Temperatur weiter an, so werden zunächst keine neuen Ladungsträger generiert. Stattdessen erfolgt die Anregung der Atome selbst, sodass der spezifische Widerstand des Halbleiters steigt. Ab Erreichen der maximalen Betriebstemperatur wird die Bandlücke der Halbleiter überwunden und es werden weitere Ladungsträger generiert. Dieser Temperaturbereich wird Eigenleitungsbereich genannt<ref name="BE"/>.

Zeile 73:		Zeile 75:
	* Sperrsättigungsstrom: <math> I_S = I_{S0} \cdot e^{C \cdot \left( T - T_0 \right)} \approx 10^{-10} A </math>		* Sperrsättigungsstrom: <math> I_S = I_{S0} \cdot e^{C \cdot \left( T - T_0 \right)} \approx 10^{-10} A </math>
	* Temperaturspannung in Abhängigkeit der Boltzmann-Konstante k, der Temperatur T und der Elementarladung e: <math> U_{th} = \frac{k \cdot T}{e} </math>		* Temperaturspannung in Abhängigkeit der Boltzmann-Konstante k, der Temperatur T und der Elementarladung e: <math> U_{th} = \frac{k \cdot T}{e} </math>
	* N ist der Diodenfaktor. Er liegt zwischen 1 und 3		* N ist der Diodenfaktor. Er liegt zwischen 1 und 3.

	==Vereinfachte Sensorschaltung==		==Vereinfachte Sensorschaltung==

Ulrich Schneider: /* Grundlagen zu Halbleitern und Bandlücken */

2023-12-04T11:28:35Z

Grundlagen zu Halbleitern und Bandlücken

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 13:28 Uhr
Zeile 52:		Zeile 52:
	Um die Mechanismen dahinter verstehen zu können, werden zunächst die Grundlagen der Halbleitertechnik insbesondere unter Berücksichtigung der thermischen Eigenschaften beleuchtet.		Um die Mechanismen dahinter verstehen zu können, werden zunächst die Grundlagen der Halbleitertechnik insbesondere unter Berücksichtigung der thermischen Eigenschaften beleuchtet.
	==Grundlagen zu Halbleitern und Bandlücken==		==Grundlagen zu Halbleitern und Bandlücken==
	Halbleitermaterialien wie Silizium, Germanium oder alpha-Zinn sind Feststoffe, deren Leitfähigkeit zwischen <math>10^{-8} \frac{1}{\Omega \cdot cm}</math> und <math>10^{4} \frac{1}{\Omega \cdot cm}</math> liegt. Halbleiter befinden sich damit zwischen den Isolatoren und den Leiterwerkstoffen<ref name="BE"/><ref name="HB"/>. ~~<br/>~~		Halbleitermaterialien wie Silizium, Germanium oder alpha-Zinn sind Feststoffe, deren Leitfähigkeit zwischen <math>10^{-8} \frac{1}{\Omega \cdot cm}</math> und <math>10^{4} \frac{1}{\Omega \cdot cm}</math> liegt. Halbleiter befinden sich damit zwischen den Isolatoren und den Leiterwerkstoffen<ref name="BE"/><ref name="HB"/>.

	Grund für diese Eigenschaft ist die Atomstruktur des Halbleiters. Es befinden sich 4 Elektronen in der äußersten Schale des Atoms, die jeweils mit ihren Nachbarn eine Elektronenpaarbindung ausbilden. Es bildet sich eine Kristallstruktur, bei der jedes Atom einen festen Platz einnimmt. Eine grafische Modelierung der Gitterstruktur ist in der Abb. 2 zu sehen. Hier ist beispielhaft Silizium mit seinen vier Valenzelektronen abgebildet<ref name="HB"/>.		Grund für diese Eigenschaft ist die Atomstruktur des Halbleiters. Es befinden sich 4 Elektronen in der äußersten Schale des Atoms, die jeweils mit ihren Nachbarn eine Elektronenpaarbindung ausbilden. Es bildet sich eine Kristallstruktur, bei der jedes Atom einen festen Platz einnimmt. Eine grafische Modelierung der Gitterstruktur ist in der Abb. 2 zu sehen. Hier ist beispielhaft Silizium mit seinen vier Valenzelektronen abgebildet<ref name="HB"/>.
	[[Datei:Gitterstruktur von Silizium.PNG\|miniatur\|Abb. 2: Gitterstruktur von Silizium]]		[[Datei:Gitterstruktur von Silizium.PNG\|miniatur\|Abb. 2: Gitterstruktur von Silizium]]

	Nach dem Bohr'schen Atommodell und den Gesetzen der Quantenmechanik können Elektronen nur diskrete Energieniveaus annehmen, die über den Bahndrehimpuls L definiert sind und der nur ganzzahlige Vielfache von <math> \frac{h}{2 \cdot \Pi} </math> annehmen kann<ref name="metz"/>. Die Valenzelektronen können sich entweder innerhalb der Bindung des Atoms befinden oder durch Anregung mit einer bestimmten Energiemenge ihre Schale und damit die Bindung durch das Atom verlassen, welches dann als positiv geladenes Ion im Atomverbund zurückbleibt<ref name="BE"/>. Dann befinden sie sich nicht mehr im Valenzband, sondern im Leitungsband und können sich in der Gitterstruktur bewegen. Unter Einfluss von elektrischen Feldern können sie dann zum Ladungstransport genutzt werden. Die Energie die nötig ist, um ein Elektron vom Valenzband in das Leitungsband anzuheben, wird als Bandabstand oder Bandlücke bezeichnet. Sie ist für Halbleiter charakteristisch und liegt zwischen 0,~~1eV~~ und ~~4eV~~<ref name="BE"/>.		Nach dem Bohr'schen Atommodell und den Gesetzen der Quantenmechanik können Elektronen nur diskrete Energieniveaus annehmen, die über den Bahndrehimpuls L definiert sind und der nur ganzzahlige Vielfache von <math> \frac{h}{2 \cdot \Pi} </math> annehmen kann<ref name="metz"/>. Die Valenzelektronen können sich entweder innerhalb der Bindung des Atoms befinden oder durch Anregung mit einer bestimmten Energiemenge ihre Schale und damit die Bindung durch das Atom verlassen, welches dann als positiv geladenes Ion im Atomverbund zurückbleibt<ref name="BE"/>. Dann befinden sie sich nicht mehr im Valenzband, sondern im Leitungsband und können sich in der Gitterstruktur bewegen. Unter Einfluss von elektrischen Feldern können sie dann zum Ladungstransport genutzt werden. Die Energie die nötig ist, um ein Elektron vom Valenzband in das Leitungsband anzuheben, wird als Bandabstand oder Bandlücke bezeichnet. Sie ist für Halbleiter charakteristisch und liegt zwischen 0,1 eV und 4 eV<ref name="BE"/>.

	==Temperaturverhalten von intrinsischen und dotierten Halbleitern ==		==Temperaturverhalten von intrinsischen und dotierten Halbleitern ==

Ulrich Schneider: /* Funktionsprinzip des TMP36 Temperatursensors */

2023-12-04T11:27:47Z

Funktionsprinzip des TMP36 Temperatursensors

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 13:27 Uhr
Zeile 46:		Zeile 46:
	=Funktionsprinzip des TMP36 Temperatursensors=		=Funktionsprinzip des TMP36 Temperatursensors=

	Viele Temperatursensoren messen die Temperatur durch die Änderung ihrer elektrischen Eigenschaften. Ein Pt100-Thermoelement beispielsweise ändert seinen ohmschen Widerstand. Ein NiCr-Ni Thermoelelement induziert eine Thermospannung unter Ausnutzung des Seebeck-Effekts<ref name="PF"/>. Der TMP36 grenzt sich von diesen Messprinzipien ab, indem er die Bandlücke von Halbleitern nutzt und diese als Maß für die Temperatur heranzieht. Durch geschickte Verschaltung von mehreren Bipolartransistoren werden die Temperatureigenschaften der dotierten Halbleitermaterialien genutzt, um eine Spannung hervorzurufen, die proportional zur Temperatur ist. ~~<br/>~~		Viele Temperatursensoren messen die Temperatur durch die Änderung ihrer elektrischen Eigenschaften. Ein Pt100-Thermoelement beispielsweise ändert seinen ohmschen Widerstand. Ein NiCr-Ni Thermoelelement induziert eine Thermospannung unter Ausnutzung des Seebeck-Effekts<ref name="PF"/>.

			Der TMP36 grenzt sich von diesen Messprinzipien ab, indem er die '''Bandlücke von Halbleitern''' nutzt und diese als Maß für die Temperatur heranzieht. Durch geschickte Verschaltung von mehreren Bipolartransistoren werden die Temperatureigenschaften der dotierten Halbleitermaterialien genutzt, um eine Spannung hervorzurufen, die proportional zur Temperatur ist.

	Um die Mechanismen dahinter verstehen zu können, werden zunächst die Grundlagen der Halbleitertechnik insbesondere unter Berücksichtigung der thermischen Eigenschaften beleuchtet.		Um die Mechanismen dahinter verstehen zu können, werden zunächst die Grundlagen der Halbleitertechnik insbesondere unter Berücksichtigung der thermischen Eigenschaften beleuchtet.
	==Grundlagen zu Halbleitern und Bandlücken==		==Grundlagen zu Halbleitern und Bandlücken==

Ulrich Schneider: /* Technische Daten */

2023-12-04T11:26:46Z

Technische Daten

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 13:26 Uhr
Zeile 19:		Zeile 19:
	! style="font-weight: bold;" \| Wert		! style="font-weight: bold;" \| Wert
	\|-		\|-
	\| Versorgungsspannung<br/> \|\| 2,7 - 5,5 V DC<br/>		\| Versorgungsspannung<br/> \|\| 2,7 V - 5,5 V DC<br/>
	\|-		\|-
	\| Messbarer Temperaturbereich<br/> \|\| -~~55°C~~ - +~~150°C~~<br/>		\| Messbarer Temperaturbereich<br/> \|\| -55 °C - +150 °C<br/>
	\|-		\|-
	\| Genauigkeit \|\| i.d.R. ~~1°C~~, max. ~~3°C~~ <br/>		\| Genauigkeit \|\| i. d. R. 1 °C, max. 3 °C <br/>
	\|-		\|-
	\|Ausgangssignal \|\| 0,1V - 2V <br/>		\|Ausgangssignal \|\| 0,1 V - 2 V <br/>
	\|-		\|-
	<br/>		<br/>

Ulrich Schneider: /* Aufgabe */

2023-12-04T10:53:17Z

Aufgabe

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 12:53 Uhr
Zeile 11:		Zeile 11:

	=== Einleitung ===		=== Einleitung ===
	Der TMP36 ist ein sehr kostengünstiger Sensor zur Temperaturmessung. Der Sensor ist bei Internetieferanten bereits ab unter zwei Euro erhältlich<ref name="re"/>. Er wird in verschiedenen Ausführungen zur THT und SMT Montage angeboten. Der Sensor selbst ist sehr kompakt. Die Abmaße in der THT-Variante betragen 4,83&#~~8239mm~~ in der Breite, ebenso in der Höhe und 3,68&#~~8239mm~~ in der Tiefe. Die Anschlusspins des TO-92 Gehäuses haben einen Abstand von 1,27 mm, können also direkt auf einer Leiterplatte verlötet werden<ref name="tmp"/>.		Der TMP36 ist ein sehr kostengünstiger Sensor zur Temperaturmessung. Der Sensor ist bei Internetieferanten bereits ab unter zwei Euro erhältlich<ref name="re"/>. Er wird in verschiedenen Ausführungen zur THT und SMT Montage angeboten. Der Sensor selbst ist sehr kompakt. Die Abmaße in der THT-Variante betragen 4,83 mm in der Breite, ebenso in der Höhe und 3,68 mm in der Tiefe. Die Anschlusspins des TO-92 Gehäuses haben einen Abstand von 1,27 mm, können also direkt auf einer Leiterplatte verlötet werden<ref name="tmp"/>.

	===Technische Daten===		===Technische Daten===

Ulrich Schneider: /* Einleitung */

2023-12-04T10:52:31Z

Einleitung

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 12:52 Uhr
Zeile 11:		Zeile 11:

	=== Einleitung ===		=== Einleitung ===
	Der TMP36 ist ein sehr kostengünstiger Sensor zur Temperaturmessung. Der Sensor ist bei Internetieferanten bereits ab unter zwei Euro erhältlich<ref name="re"/>. Er wird in verschiedenen Ausführungen zur THT und SMT Montage angeboten. Der Sensor selbst ist sehr kompakt. Die Abmaße in der THT-Variante betragen 4,~~83mm~~ in der Breite, ebenso in der Höhe und 3,~~68mm~~ in der Tiefe. Die Anschlusspins des TO-92 Gehäuses haben einen Abstand von 1,27 mm, können also direkt auf einer Leiterplatte verlötet werden<ref name="tmp"/>.		Der TMP36 ist ein sehr kostengünstiger Sensor zur Temperaturmessung. Der Sensor ist bei Internetieferanten bereits ab unter zwei Euro erhältlich<ref name="re"/>. Er wird in verschiedenen Ausführungen zur THT und SMT Montage angeboten. Der Sensor selbst ist sehr kompakt. Die Abmaße in der THT-Variante betragen 4,83&#8239mm in der Breite, ebenso in der Höhe und 3,68&#8239mm in der Tiefe. Die Anschlusspins des TO-92 Gehäuses haben einen Abstand von 1,27 mm, können also direkt auf einer Leiterplatte verlötet werden<ref name="tmp"/>.

	===Technische Daten===		===Technische Daten===

Ulrich Schneider am 4. Dezember 2023 um 10:51 Uhr

2023-12-04T10:51:50Z

← Nächstältere Version		Version vom 4. Dezember 2023, 12:51 Uhr
Zeile 11:		Zeile 11:

	=== Einleitung ===		=== Einleitung ===
	Der TMP36 ist ein sehr kostengünstiger Sensor zur Temperaturmessung. Der Sensor ist bei Internetieferanten bereits ab unter zwei Euro erhältlich<ref name="re"/>. Er wird in verschiedenen Ausführungen zur THT und SMT Montage angeboten. Der Sensor selbst ist sehr kompakt. Die Abmaße in der THT-Variante betragen 4,83mm in der Breite, ebenso in der Höhe und 3,68mm in der Tiefe. Die Anschlusspins des TO-92 Gehäuses haben einen Abstand von 1,27 mm, können also direkt auf einer Leiterplatte verlötet werden<ref name="tmp"/>.		Der TMP36 ist ein sehr kostengünstiger Sensor zur Temperaturmessung. Der Sensor ist bei Internetieferanten bereits ab unter zwei Euro erhältlich<ref name="re"/>. Er wird in verschiedenen Ausführungen zur THT und SMT Montage angeboten. Der Sensor selbst ist sehr kompakt. Die Abmaße in der THT-Variante betragen 4,83mm in der Breite, ebenso in der Höhe und 3,68mm in der Tiefe. Die Anschlusspins des TO-92 Gehäuses haben einen Abstand von 1,27 mm, können also direkt auf einer Leiterplatte verlötet werden<ref name="tmp"/>.

	===Technische Daten===		===Technische Daten===